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三星半导体存储路线图曝光：2026 年推出超 400 层 V-NAND，2027 年推出 0a nm DRAM
IT之家 10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层...
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三星电子首次开发 1c nm DRAM 内存，量产开发尚需时日
IT之家 10 月 22 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存 G...
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