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三星半导体存储路线图曝光:2026 年推出超 400 层 V-NAND,2027 年推出 0a nm DRAM
IT之家 10 月 29 日消息,《韩国经济日报》当地时间昨日表示,根据其掌握的最新三星半导体存储路线图,三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层...
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2024年10月31日
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